电源防反接电路

最近打算做一个电源项目，在之前做项目时做过简单的防反接电路，今天来总结一下。

二极管防反接电路

利用二极管单向导通的特性，把二极管串联到电源输入上，因为正向导通反向截止，所以可以实现防反接。

MOS管的导通内阻较小，很多是mΩ级，这样对电路的压降，功耗造成的损失特别小，所以使用MOS管对电路进行保护是比较推荐的方式。

如下图所示，前面的开关代表电源正接与反接。当电源正接时，上电瞬间，MOS管寄生二极管导通（方向S->D），S极电压约为0.6V，U_gs = v1-0.6 = 19.4V，增强型NMOS导通，电流通过沟道导通，不再经过寄生二极管。

如果电源反接，NMOS的导通电压为0，NMOS截止，寄生二极管反接，电路断开，形成保护。

如下图所示，当电源正接时，上电瞬间，MOS管寄生二极管导通（方向D->S），S极电压约为4.4V，U_gs =0-4.4 = -4.4V，PMOS导通，短路寄生二极管形成回路。

电源反接，同理PMOS截止，不再形成回路。

一般MOS管D极和S极的接入：通常使用N沟道的MOS管时，一般电流是由D极进入而S极流出，PMOS是S进D出，在这里的应用正好相反，通过寄生二极管的导通来满足MOS管导通的电压条件。
值得注意，当MOS用作防反接开关时，会有漏电流，这个电流一般很小，在mA或者uA级，可以忽略不计。

G极一般要串联一个电阻，为了防止MOS管被击穿，也可以加上稳压二极管。并且在G极可以并联一个电容，从而实现电路的软启动功能，即上电瞬间电压缓慢增加，对后级电路不会有较大的电流冲击，如果没有软启动，后级电路在上电瞬间可能由于较大电流而损坏。