模拟开关

模拟开关是一个电子开关，用外部数字逻辑信号控制两个端子之间的电阻：导通时电阻极小、断开时电阻极大。

模拟开关类型

包括单刀单掷、单刀双掷、双刀单掷、双刀双掷型。

刀：指一个信号控制的一个开关实体
掷：电极杆可以投掷的位置，单掷就是开关只有断开或闭合，双掷是开关有两个方向断开或闭合。

单刀单掷：Single Pole Single Throw——SPST

单刀双掷：Single Pole Double Throw——SPDT

BJT模拟开关

电路图如下，电源需要正负电源供电，这两个晶体管一个是NPN管另一个是PNP管，它们并联在一起。两个开关就看做一个GPIO口的控制信号，两个开关同时打开或者关断。

模拟开关导通时，T1管和T1管均是饱和导通状态，输入信号通过两个晶体管并联（更小的导通电阻），连接到负载。

模拟开关截止时，T1、T2处于截止状态。

MOSFET模拟开关

按照模拟开关的特性，我们使用一个MOSFET或者晶体管就可完成，它们本来就是一个“开关”。

当开关导通时：

1. 当RL与R_DS相近时，输出电压会有衰减。

2. 导通时的R_DS与U_GS有关，而U_GS会随着输入信号改变而变化，输出电压也会随之变化。

我们往往想让模拟开关输出电压稳定，也就是让它的R_DS稳定。这用一对互补MOSFET（CMOS）即可。

此时的导通电阻R_DS：

可以看到R_DS比较固定，所以输出电压也会相对稳定。

负载开关

负载开关是一个可控制的开关，它能决定是否给某个指定负载供电。例如：手机中GPS功耗较大，实现低功耗要让GPS在需要时工作，不需要时关闭。

单晶体管负载开关

当被控制的V_IN与LOGIC IN 高电平属于一个电压系列时，比如都是3.3V，使用一个PMOS就可以实现负载开关。

双晶体管开关

在更多情况下，被控制的电压V_IN远大于微控制器的逻辑电压，比如V_IN = 20V，逻辑电平为3V，如果还是用单晶体管开关，能实现导通无法实现截止。

Q1管导通与否取决于R1上面的压降，R1上压降大于PMOS管的U_GSTH绝对值时他就会导通，只要流过一定电流，Q2管子正好控制流过R1管子的电流，只需我们控制Q2的栅极即可。