场效应管
分类和管脚定义
场效应管分为结型场效应管（Junction FET）和金属氧化物场效应管（MOSFET），其中MOSFET又分为增强型与耗尽型两种，但在日常工作中市面上较多使用的是增强型MOS。
注意，在JEFT中，源极和漏极是对称的可以互换位置，在MOSFET中衬底和源极在内部已经连通，很多MOS管D、S之间并联了一个二极管，因此D和S不能互换。
结型场效应管
转移特性曲线
在TINA中仿真一个N型JFET，其中设置GS电压为控制对象，在栅极和源极分别串联一个电流表，如下图所示：
因为场效应管GS之间的电阻非常大，几乎可以看做断开，所以流入的电流也很非常小。转移特性曲线仅关注VGS与VDS之间的关系。在直流分析中选择直流传输特性，V1输入电压范围为-5~5V。得到下图所示转移特性曲线。
当VGS小于某一电压时，管子关断，此时这个电压叫做夹断电压UGSOFF。
当VGS大于UGSOFF但小于0.7V时，管子处于导通状态，电流随VGS增大。
还可以观察到当VGS大于某一值时，电流反而随着VGS增大而减少。这是由于电压过大，管子被击穿。从图中可以看出，VGS大于0，ID还有增长的趋势，但此时G、S之间就不再是高阻，即GS之间电流也增加。
当VGS=0时，漏极电流称为零偏漏极电流，这是N-JFET能提供的最大电流。
数学表达式：
分界点电压：
输出伏安特性曲线
选择V2在020V变换，选择V1为控制对象，使V1在-20V之间变化，就可以画出在VGS不同电压下的输出伏安特性。
可以看出这个曲线跟晶体管输出伏安特性曲线十分相似，在VGSOFF<VGS<=0时，VDS在小于某一电压时，IDS随着VDS增大而增大，这一段类似晶体管的饱和区。
VDS在大于于某一电压时，IDS几乎不再增加，看起来像恒流源一样，称作恒流区类似晶体管的放大区。
MOSFET
MOSFET中包含耗尽型和增强型，耗尽型的伏安特性曲线与JFET非常相似，区别在于：它允许UGS大于0。
增强型NMOS伏安特性曲线
开启电压UGSTH：当UGS小于开启电压时，无论多大UDS电流iDS均为0，只有当大于开启电压时，晶体管才可能存在电流。
转移特性曲线的数学表达式：
可变电阻区与恒流区分界线：
三电阻MOSFET电路的静态分析
结合之前的电路分析方法与FET的特点对静态分析，电路如下图所示
分析要点：
与晶体管电路相似，使用戴维南定理分析G极回路，得到栅极电压。
跟晶体管特性不同，我们要先假设MOS工作在恒流区，然后根据假设计算出UDSQ是否达到开启电压，通过转移特性曲线公式进行计算。
UDSQ＞UDS_dv，满足假设，管子处于恒流区。
四电阻MOSFET电路静态分析
四电阻共源极放大电路与上面三电阻的区别就是S极在静态添加了一个电阻，而这个电阻的作用与之前在4电阻晶体管作用类似，可以增加电路的稳定性，原理为引入负反馈。
戴维南定理分析
利用转移特性公式与UGS = UGQ-iDR5，解出UGS和iD（2次方程有两个解需要舍弃一个不满足开启电压条件的解）
最后根据静态判断MOS管是否在恒流区
JFET电路的静态分析
由于JFET的UGS小于0才能开启，上述电路图关键点在于仅使用一个正电源和R2便能使得JFET开启（自给偏压电路）。
分析类似，UGQ一定是0V因为G极没有电流，JFET转移特性曲线方程与UGSQ = -IDQ*R2联立可以解出IDQ和UGSQ
得到两个解要满足直线与平方曲线小于UGSOFF的交点
FET微变等效模型
对GS两端施加微变电压信号，无法产生电流变化（无伏安特性曲线），使用转移特性来研究。
定义跨导为gm，单位为西门子 S:
Q点上升，其切线斜率上升，跨导变大。对于JFET和MOSFET，无论增强型还是耗尽型，其微变等效模型都如下图所示
JFET对转移特性曲线曲线求导可得：
说明，某个Q点的跨导，与晶体管本身影响曲线斜率的参数UGSOFF、IDSS、IDQ有关。
MOSFET对转移特性曲线曲线求导可得:
JFET放大电路的动态分析
上面已经解过JFET放大电路的静态，下面直接进行动态分析，动态分析需要得到静态参数。
动态等效电路图画法与晶体管类似。
求解Au时，把Uo和Ui都写成Ugs的函数可得：
输入输出电阻求法与晶体管一致。
MOSFET共漏极放大电路的动态分析
与晶体管共集放大电路相似，属于MOSFET中的“射极跟随器”。
静态：
戴维宁以及环路方程与MOSFET转移曲线方程联立可得IDQ，UGSQ
动态等效图
放大倍数
输入电阻很简单就是RG1与RG2并联
输出电阻
信号源短接，从输出口接入一个信号源，从输出口中看进去的电阻
需要注意电流方向与电压方向