前言
重学模电，不光理论，必须实践，实物搭建可能没有，用仿真软件Micro-cap，发现比Multisim强大，一起学了以后肯定用到。
教材资源参考《新概念模拟电路》下载地址：
https://www.analog.com/cn/landing-pages/002/yang-e-book.html
JFET 结型场效应管——晶体管
内部载流子十分复杂，实际应用中只关注特定的几个参数，不展开
晶体管分为NPN与PNP管
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晶体管类型
具体参数分析
以2N3415为例看数据手册 pdf连接：https://html.alldatasheet.com/html-pdf/50004/FAIRCHILD/2N3415/405/1/2N3415.html
2N3415 datasheet
VCEO ：集电极到发射极最大电压
VCBO ：集电极到基极的最大电压
VEBO ：发射极到基极的最大反向电压
IC ：集电极电流（正常工作下最大电流）
PD : 功耗
耗散功率，也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。硅管的结温允许值大约为150°C，锗管的结温允许值为85°C左右。要保证管子结温不超过允许值,就必须将产生的热散发出去。
BJT的总耗散功率为Pc=IeVbe+IcVcb+Icrcs≈IcVcb），并且Pc关系到输出的最大交流功率Po：Po=(供给晶体管的直流功率Pd)–(晶体管耗散的功率Pc)=[η/(1–η)]Pc∝Pc，即输出交流功率与晶体管的耗散功率成正比（η=Po/Pd是转换效率）。晶体管功率的耗散(消耗)即发热，如果此热量不能及时散发掉,则将使集电结的结温Tj升高,这就限制了输出功率的提高；最高结温Tjm（一般定为175oC）时所对应的耗散功率即为最大耗散功率Pcm。为了提高Po，就要求提高Pc,但Pc的提高又受到结温的限制，为使结温不超过Tjm，就需要减小晶体管的热阻Rt；最大耗散功率Pcm∝1/Rt。最高结温Tjm时所对应的最大耗散功率为(Pcms≥Pcm)：稳态时，Pcm=(Tjm–Ta)/Rt；瞬态时，Pcms=(Tjm–Ta)/Rts。
R
: 热阻jc，芯片的热源结到封装外壳间的热阻，乘以发热量即获得结与壳的温差。 - 一般热阻公式
= （散热良好） - 否侧
= - 如果为小功率器件，那么公式应为
=
- 一般热阻公式
ICBO : 集电极漏电流。
IEBO ：发射极漏电流。
hFE : 直流电流增益即β
输入伏安特性
晶体管的输入伏安特性，是指基极电流 iB与发射结电压UBE之间的关系——可能受到UCE的影响。
- 仿真电路图
2N3415电路
- 输入伏安特性曲线
输入伏安特性曲线
输入伏安特性曲线与二极管类似
输出伏安特性
晶体管输出伏安特性，是指一个确定的基极电流iB下,集电极电流iC与 UCE之间的关系。
电路图同上
修改仿真软件的参数即可
参数具体修改
输出伏安特性曲线
输出伏安特性曲线
- 放大区 ：满足
- 饱和区 ：一般分界电压为0.3V，压降很小而iC很大
- 截止区 ：有漏电流，所以截止区也有电流，不过很小
- 放大区 ：满足